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      北京科華微電子材料有限公司
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      北京科華微電子材料有限公司

      Kempur Microelectronics Inc.
      沒有此類產品
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      產品分類 二級分類 產品名稱 圖片介紹 生產廠家  產品特征
      光刻膠及聚酰亞胺 紫外寬譜光刻膠 BN301系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司  BN301系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠,主要用于半導體分立器件及其它微型器件的制作?!”井a品粘度可以在20-60mPa.s范圍內調整, 覆蓋光刻膠膜厚范圍2.0-3.0um, 在多種基片上均有良好的粘附性,抗濕法腐蝕性能良好。
      光刻膠及聚酰亞胺 紫外寬譜光刻膠  BN303系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司  BN303系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠,主要用于中小規模集成電路、分立器件及其它微型器件的制作?!”井a品粘度可以在29-100mPa.s范圍內調整, 覆蓋光刻膠膜厚范圍0.85-2.1um. 實用分辨率可達5μm, 在多種基片上均有良好的粘附性,抗濕法腐蝕性能良好。
      光刻膠及聚酰亞胺 紫外寬譜光刻膠  BN308系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司   BN308系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠,主要用于分立器件及其它微型器件的制作。本產品粘度可以在140-500mPa.s范圍內調整, 覆蓋光刻膠膜厚范圍2.2-6um. 實用分辨率可達8μm, 在多種基片上均有良好的粘附性,抗濕法腐蝕性能優異。
      光刻膠及聚酰亞胺 紫外寬譜光刻膠  BN310系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司  BN310系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠,主要用于中小規模集成電路、分立器件及其它微型器件的制作。本產品粘度可以在27-39mPa.s范圍內調整, 覆蓋光刻膠膜厚范圍0.85-1um. 實用分辨率可達2μm, 在多種基片上均有良好的粘附性,含防光暈染料,可在高反射基片上使用。
      光刻膠及聚酰亞胺 G線光刻膠 KMP E3100系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司  KMP E3100系列光刻膠是專為Lift Off工藝開發的紫外負性光刻膠,其采用酚醛樹脂體系,與正膠工藝相容(可用正膠顯影液進行顯影)。E3100系列具有多個型號,膜厚范圍為1.0-4.5um,可以滿足不同工藝對倒梯角的需求,此外具有分辨率高、工藝窗口大及易去膠等優點,廣泛用于IC/LED芯片制造過程中的Lift Off工藝。
      光刻膠及聚酰亞胺 G線光刻膠 KMP E3200系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司  KMP E3200系列光刻膠是專為Lift Off工藝開發的紫外負性光刻膠,相比E3100,其膜厚更厚,覆蓋的范圍為6.0-12.0um。其具有可調整的倒梯角度、分辨率高、工藝窗口大及易去膠等優點,廣泛用于LED芯片制造過程中的Lift Off工藝,特別是LED高功率器件以及倒裝工藝芯片制造過程。
      光刻膠及聚酰亞胺 G線光刻膠  KMP EP3100系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司   KMP EP3100系列光刻膠是一款G/I線正性光刻膠,其特點是感光速度快、分辨率高,主要用于LED芯片制造領域,可以有效的提高芯片制造企業的產率。
      光刻膠及聚酰亞胺 G線光刻膠   KMP EP3200系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司   KMP EP3200系列光刻膠是一款G/I線正性光刻膠,主要用于LED芯片制造,其感光速度適中、分辨率高、工藝窗口大,此外還具有優異的粘附性,在不使用HMDS的情況下能保持顯影時不掉膠、濕法刻蝕時無過刻。
      光刻膠及聚酰亞胺 G線光刻膠  KMP BP212系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司      KMP BP212系列光刻膠是用于分立器件的寬譜正性光刻膠,適用于寬譜、G線及I線曝光,為酚醛樹脂/重氮萘醌體系,本系列產品有不同的粘度,可以覆蓋膜厚從0.75um到2.5um,具有分辨率高、感光速度快及工藝窗口大等優點。
      光刻膠及聚酰亞胺 G線光刻膠  KMP BP218系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司      KMP BP218系列光刻膠是用于分立器件有正性光刻膠,適用于寬譜、G線及I線曝光,為酚醛樹脂/重氮奈醌體系,本系列產品有不同的粘度,可以膜厚從1.0um到2.0um,具有分辨率高、感光速度快及工藝窗口大等優點。
      光刻膠及聚酰亞胺 I線光刻膠 KMP C6111系列   北京科華微電子材料有限公司  KMP C6111系列光刻膠是正性厚膜I線光刻膠,主要應用于IC制程中光刻膠膜厚5um時的PAD金屬鈍化層和DNW的深肼離子注入層。該系列光刻膠工藝窗口大,抗蝕刻能力,抗離子注入能力和可去除性能都符合先進集成電路的需求,已廣泛用于先進集成電路制造業企業。
      光刻膠及聚酰亞胺 I線光刻膠 KMP C7500系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司  KMP C7500系列光刻膠是高分辨I線光刻膠,其采用了獨特的樹脂結構及具有高分辨性能的感光劑,在0.75um膜厚下可以實現0.35um的分辨率。該系列光刻膠具有不同的粘度,其膜厚范圍為0.5-2.0um,同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點,適用于集成電路制造工藝中對分辨率要求較高的i線層,已經廣泛商用于國內先進集成電路制造業企業。
      光刻膠及聚酰亞胺 I線光刻膠  KMP C7300系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司   KMP C7300系列光刻膠是高分辨I線光刻膠,在1.0um膜厚下可以實現0.5um的分辨率,該系列光刻膠具有不同粘度的產品,其膜厚范圍為0.75-2.5um,同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點,廣泛用于先進集成電路制造業企業。
      光刻膠及聚酰亞胺 I線光刻膠  KMP C8300系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司   KMP C8300系列光刻膠是具有高耐熱性及高抗刻蝕性的I線光刻膠,其采用了獨特的樹脂結構及配方體系,在140攝氏度烘烤時仍能保持形貌不變。該系列光刻膠具有不同的粘度,其膜厚范圍為1.0-4.0um,分辨率達0.6um,同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點,適用于集成電路制造工藝中的implant, metal layers. 已廣泛商用于國內主流集成電路制造企業。
      光刻膠及聚酰亞胺 I線光刻膠  KMP C5300系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司
       KMP C5300系列光刻膠是G/I線通用正性光刻膠,其在1.2um膜厚下可實現0.6um的分辨率,該系列光刻膠感光速度快(1.25um時,Eop達65mJ/cm2),該系列光刻膠具有不同粘度的產品,其膜厚范圍為0.75-2.5um,同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點,適用于集成電路制造工藝中對分辨率要求不高的i線層,已經廣泛商用于國內先進集成電路制造業企業。
      光刻膠及聚酰亞胺 KrF光刻膠 KMP DK1080   北京科華微電子材料有限公司  
       KMP DK1080是國內首款商業化的248nmDUV(KrF)光刻膠,由本公司獨立開發完成,并實現向國內先進集成電路制造企業的批量供貨。
           KMP DK1080適用于集成電路制造中有Implant Layer工藝,在不使用底部抗反射涂層(BARC)時仍能消除由干涉引起的駐波效應,得到陡直的形貌。其膜厚范圍為6000-9000A,分辨率達0.25um,同時具有快速的感光速度及優異的工藝窗口。
      光刻膠及聚酰亞胺 紫外寬譜光刻膠 KMP CP4800系列

       

       

      北京科華微電子材料有限公司  KMP CP4800系列光刻膠是專為先進封裝制程設計的正性厚膜光刻膠,膜厚可以覆蓋10-40um的范圍,具有高分辨率,高耐熱性,在KOH與TMAH顯影液均可適用的特點,已在大陸和臺灣封裝企業商業量產。

       

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