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產品分類	二級分類	產品名稱	圖片介紹	生產廠家	產品特征
光刻膠及聚酰亞胺	紫外寬譜光刻膠	BN301系列		北京科華微電子材料有限公司	BN301系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠，主要用于半導體分立器件及其它微型器件的制作?！”井a品粘度可以在20-60mPa.s范圍內調整，覆蓋光刻膠膜厚范圍2.0-3.0um, 在多種基片上均有良好的粘附性,抗濕法腐蝕性能良好。
光刻膠及聚酰亞胺	紫外寬譜光刻膠	BN303系列		北京科華微電子材料有限公司	BN303系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠，主要用于中小規模集成電路、分立器件及其它微型器件的制作?！”井a品粘度可以在２９－１００mPa.s范圍內調整，覆蓋光刻膠膜厚范圍0.85-2.1um.　實用分辨率可達5μm, 在多種基片上均有良好的粘附性,抗濕法腐蝕性能良好。
光刻膠及聚酰亞胺	紫外寬譜光刻膠	BN308系列		北京科華微電子材料有限公司	BN308系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠，主要用于分立器件及其它微型器件的制作。本產品粘度可以在140－500mPa.s范圍內調整，覆蓋光刻膠膜厚范圍2.2-6um.　實用分辨率可達8μm, 在多種基片上均有良好的粘附性,抗濕法腐蝕性能優異。
光刻膠及聚酰亞胺	紫外寬譜光刻膠	BN310系列		北京科華微電子材料有限公司	BN310系列紫外負型光刻膠是一類采用寬譜紫外線曝光的負性光刻膠，主要用于中小規模集成電路、分立器件及其它微型器件的制作。本產品粘度可以在27－39mPa.s范圍內調整，覆蓋光刻膠膜厚范圍0.85-1um.　實用分辨率可達2μm, 在多種基片上均有良好的粘附性,含防光暈染料，可在高反射基片上使用。
光刻膠及聚酰亞胺	G線光刻膠	KMP E3100系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP E3100系列光刻膠是專為Lift Off工藝開發的紫外負性光刻膠，其采用酚醛樹脂體系，與正膠工藝相容（可用正膠顯影液進行顯影）。E3100系列具有多個型號，膜厚范圍為1.0-4.5um，可以滿足不同工藝對倒梯角的需求，此外具有分辨率高、工藝窗口大及易去膠等優點，廣泛用于IC/LED芯片制造過程中的Lift Off工藝。
光刻膠及聚酰亞胺	G線光刻膠	KMP E3200系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP E3200系列光刻膠是專為Lift Off工藝開發的紫外負性光刻膠，相比E3100，其膜厚更厚，覆蓋的范圍為6.0-12.0um。其具有可調整的倒梯角度、分辨率高、工藝窗口大及易去膠等優點，廣泛用于LED芯片制造過程中的Lift Off工藝，特別是LED高功率器件以及倒裝工藝芯片制造過程。
光刻膠及聚酰亞胺	G線光刻膠	KMP EP3100系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP EP3100系列光刻膠是一款G/I線正性光刻膠，其特點是感光速度快、分辨率高，主要用于LED芯片制造領域，可以有效的提高芯片制造企業的產率。
光刻膠及聚酰亞胺	G線光刻膠	KMP EP3200系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP EP3200系列光刻膠是一款G/I線正性光刻膠，主要用于LED芯片制造，其感光速度適中、分辨率高、工藝窗口大，此外還具有優異的粘附性，在不使用HMDS的情況下能保持顯影時不掉膠、濕法刻蝕時無過刻。
光刻膠及聚酰亞胺	G線光刻膠	KMP BP212系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP BP212系列光刻膠是用于分立器件的寬譜正性光刻膠，適用于寬譜、G線及I線曝光，為酚醛樹脂/重氮萘醌體系，本系列產品有不同的粘度，可以覆蓋膜厚從0.75um到2.5um，具有分辨率高、感光速度快及工藝窗口大等優點。
光刻膠及聚酰亞胺	G線光刻膠	KMP BP218系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP BP218系列光刻膠是用于分立器件有正性光刻膠，適用于寬譜、G線及I線曝光，為酚醛樹脂/重氮奈醌體系，本系列產品有不同的粘度，可以膜厚從1.0um到2.0um，具有分辨率高、感光速度快及工藝窗口大等優點。
光刻膠及聚酰亞胺	I線光刻膠	KMP C6111系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP C6111系列光刻膠是正性厚膜I線光刻膠，主要應用于IC制程中光刻膠膜厚5um時的PAD金屬鈍化層和DNW的深肼離子注入層。該系列光刻膠工藝窗口大，抗蝕刻能力，抗離子注入能力和可去除性能都符合先進集成電路的需求，已廣泛用于先進集成電路制造業企業。
光刻膠及聚酰亞胺	I線光刻膠	KMP C7500系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP C7500系列光刻膠是高分辨I線光刻膠，其采用了獨特的樹脂結構及具有高分辨性能的感光劑，在0.75um膜厚下可以實現0.35um的分辨率。該系列光刻膠具有不同的粘度，其膜厚范圍為0.5-2.0um，同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點，適用于集成電路制造工藝中對分辨率要求較高的i線層，已經廣泛商用于國內先進集成電路制造業企業。
光刻膠及聚酰亞胺	I線光刻膠	KMP C7300系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP C7300系列光刻膠是高分辨I線光刻膠，在1.0um膜厚下可以實現0.5um的分辨率，該系列光刻膠具有不同粘度的產品，其膜厚范圍為0.75-2.5um，同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點，廣泛用于先進集成電路制造業企業。
光刻膠及聚酰亞胺	I線光刻膠	KMP C8300系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP C8300系列光刻膠是具有高耐熱性及高抗刻蝕性的I線光刻膠，其采用了獨特的樹脂結構及配方體系，在140攝氏度烘烤時仍能保持形貌不變。該系列光刻膠具有不同的粘度，其膜厚范圍為1.0-4.0um，分辨率達0.6um，同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點，適用于集成電路制造工藝中的implant, metal layers. 已廣泛商用于國內主流集成電路制造企業。
光刻膠及聚酰亞胺	I線光刻膠	KMP C5300系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP C5300系列光刻膠是G/I線通用正性光刻膠，其在1.2um膜厚下可實現0.6um的分辨率，該系列光刻膠感光速度快（1.25um時，Eop達65mJ/cm2），該系列光刻膠具有不同粘度的產品，其膜厚范圍為0.75-2.5um，同時具有感光速度快、分辨率高及工藝窗口大等優點，適用于集成電路制造工藝中對分辨率要求不高的i線層，已經廣泛商用于國內先進集成電路制造業企業。
光刻膠及聚酰亞胺	KrF光刻膠	KMP DK1080		北京科華微電子材料有限公司	KMP DK1080是國內首款商業化的248nmDUV(KrF)光刻膠，由本公司獨立開發完成，并實現向國內先進集成電路制造企業的批量供貨。 KMP DK1080適用于集成電路制造中有Implant Layer工藝，在不使用底部抗反射涂層（BARC）時仍能消除由干涉引起的駐波效應，得到陡直的形貌。其膜厚范圍為6000-9000A，分辨率達0.25um，同時具有快速的感光速度及優異的工藝窗口。
光刻膠及聚酰亞胺	紫外寬譜光刻膠	KMP CP4800系列		北京科華微電子材料有限公司	KMP CP4800系列光刻膠是專為先進封裝制程設計的正性厚膜光刻膠，膜厚可以覆蓋10-40um的范圍，具有高分辨率，高耐熱性，在KOH與TMAH顯影液均可適用的特點，已在大陸和臺灣封裝企業商業量產。