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磷酸(H3PO4，濃度86%)
湖北興福電子材料有限公司
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濕法刻蝕中的關鍵化學品，可通過化學反應去除氮化硅膜，達到基片表面保護層完好剝除和基材完整性的要求。金屬離子<50ppb，particle：0.5um<20、0.3um<50、0.2um<200。