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      用于有機器件封裝的有機/無機交替結構薄膜工藝及控制

      用于有機器件封裝的有機/無機交替結構薄膜工藝及控制

      來源:
      2015/07/23
      瀏覽量

        關鍵字:有機電子器件封裝,PECVD,有機/無機交替結構薄膜,水氧阻擋性能

        有機電子器件近些年發展迅猛,是二十一世紀電子產業的一大亮點之一,據專業機構NanoMarkets市場分析報告預測:未來有機電子產業產值會超過3000億美元。有機電子器件具有輕、薄、柔等特色。有機電子器件封裝要求低溫、柔性、薄膜封裝。交替結構薄膜被認為是最有效薄膜封裝方式。制備薄膜有多種方法,但要滿足低溫,高致密以及柔性的要求,目前只有有機/無機這種交替薄膜結構能夠實現。本課題組自行設計搭建一套ICP-PECVD系統,能實現有機/無機交替結構同源、同腔薄膜的低溫生長(溫度低于120度)。依靠此設備,我們對有機/無機交替結構薄膜的生長進行了深入研究,包括:沉積溫度、射頻功率、工藝氣體流量及比例、沉積壓強等參數對單層無機或有機薄膜特性的影響,綜合研究了交替結構界面、交替結構層數等參數對水氧阻擋性能的影響。實驗結果表明:無機薄膜是水氧分子的主要阻擋的層,有機薄膜主要是增加柔性和釋放無機薄膜的應力。而且無機薄膜的缺陷和致密性對整個封裝結構的水氧阻擋性能有很大影響,交替結構界面特性對水氧阻擋性能有重要影響。單周期有機/無機交替結構水氧阻擋性達10-2g/m2·day,四周期有機/無機交替結構水氧阻擋性達10-5g/m2·day。

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