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      創新觀點集聚齊鳴 學術討論氛圍濃厚 ——中國材料大會2014“微電子與光電子材料分會”紀實

      創新觀點集聚齊鳴 學術討論氛圍濃厚 ——中國材料大會2014“微電子與光電子材料分會”紀實

      來源:
      2014/09/01
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      由集成電路材料產業技術創新戰略聯盟材料聯盟承辦的中國材料大會2014“微電子與光電子材料分會”于201474-7日在四川大學順利召開。材料聯盟專家咨詢委員會、理事及會員單位代表以及相關領域的專家、學者和企業界人士約100人參加了會議。

      會議共安排14個特邀報告、25個大會演講和40篇論文海報。熱點議題包括16納米FinFETs中的新材料、硅基ⅢⅤ族高遷移率材料、硅基鍺材料和MOSFET器件、高速低功耗TiSbTe相變存儲材料、石墨烯復合陶瓷材料、ALD前驅體化學、金屬氧化物阻變特性、半浮柵器件、EUV光刻膠、飛秒激光技術、有機光電材料等。會議現場各種創新觀點集聚齊鳴,學術討論氛圍濃厚。趙超研究員指出,模擬和實驗工作表明GeSi源漏對硅Fin溝道的晶格應變有重大影響,有望對p-FinFETs的空穴遷移率有大的提升,從而提高開態電流;潘教青研究員報告在硅基III-V族高遷移率材料生長研究中,ART方法已經得到高質量的GaAsInP單晶,但CMOS的集成方案是難點;王敬教授認為,利用減壓化學氣相沉積(RPCVD)技術可以在硅基體上獲得高質量的Ge薄膜材料,Ge溝道器件的遷移率將比Si溝道提升一倍以上,有望為下一代集成電路所應用;康晉鋒教授報告后20nm技術代,在各種NVM替代技術中,STT-MRAMRRAM被推薦為重點候選技術,RRAM潛力最大;張衛教授介紹了一種用于低壓超快存儲器和傳感操作的半浮柵器件,指出該器件是一種新型的、基礎的、核心的電子器件,潛在應用包括DRAM核心存儲單元、微處理器片內緩存、CISPN結感光、特殊電路施密特觸發器、OLED驅動電路等,目前復旦正在與中芯國際合作全力推進該器件的產業化,前景值得期待。會議其它議題還有直拉硅片中的氧沉淀對載流子遷移率的影響、重摻n型直拉硅片的氧化誘生層錯(OSF)、鎢金屬柵化學機械平坦化、高純三氯化硼分析技術研究等。

      材料聯盟為組織這次學術會議專門成立了由聯盟理事長、專家咨詢委員會主任王曦院士為主席、宋志棠、楊德仁、趙超、張衛、楊國強、康晉峰、王敬、史方、潘教青、上官東愷、石瑛、成巖、俞文杰等共同參與的組織委員會。各位委員充分發揮各自在相關專業領域的技術特長和影響力為本次會議邀請了權威的特邀報告人并使組委會征集到了高水平的論文。與會代表普遍認為:材料聯盟舉辦的微電子與光電子材料分會是將相關領域專家、學者及企業界人士組織在一起的跨界學術會議,各個研究團隊將最新研究進展拿到會上與大家交流研討,會議學術討論氣氛熱烈,達到了促進集成電路工藝先導研究與材料技術開發、以及材料研究相互交流的目的,為產學研合作提升綜合創新能力搭建了交流平臺,希望今后還能繼續組織這樣的學術活動。

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