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      北京市海淀區知春路27號量子芯座

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      前沿視點:G450更新,松下等離子體切割,薄柔性芯片封裝,Osram 綜述LED封裝

      前沿視點:G450更新,松下等離子體切割,薄柔性芯片封裝,Osram 綜述LED封裝

      來源:
      2015/12/04
      瀏覽量

       

        G450-450mm晶圓狀態報告

        對于大多數人來說,無論我們開展FEOL還是封裝工作,我們都密切關注450mm晶圓的動向:(1 )是否它真的會發生;( 2 )如果會發生,時間點是何時。然后,這些疑問尚未得到解答。近期,在歐洲舉辦的SEMICON 會上,分享了一些關于G450C的信息,但我們真不能指望這樣備受度關注的項目出現,且被認為行不通。

        G450C是一個運行在Albany納米技術中心的聯盟,成員包括英特爾,臺積電,三星和IBM的全球晶圓代工廠。IBM已經將半導體制造業務出售給GlobalFoundries。所以該項目對IBM而言,可以說是一個發展的窗口,不是而非純商業化項目。

        該聯盟的目標是“到2016年簡稱14 / 10nm完整工藝線”。如下為相關工具安裝狀態報告:

        

       

        工藝要求報告如下:

        l 工藝能力是14nm的98%

        l 產能: 80 %的加工工具可實現與300mm同等或更好的效果( WPH )

        l 性能:制程工具達到或接近300mm的制程目標

        l 供應商可以在客戶下單后的18-24個月內,交付HVM工具

        l 帶來至少30%的成本節約

        松下-等離子切割

        據松下報道,基于等離子體的切割具有無損傷和切割道較窄帶來的更高芯片切割率的優勢。松下報道采用APX300 HVM工具,刻蝕速度達到20m/分鐘。

        

       

        另外,硅的斷裂強度大大提高。

        

       

        正面與背面處理流程如下所示。

        

      panasonic 3

       

        Fraunhoffer EMFT - 超薄器件的柔性封裝

        Fraunhoffer EMFT的Christof Landesberger討論研發一種用于在柔性器件襯底封裝中實現超薄IC器件的嵌入和互連靈活的芯片箔包超薄IC設備互連的工藝。

        應用目標包括:

        l 智能手機-降低封裝厚度

        l 醫療保健和可穿戴設備

        l 大面積電子元件,如可彎曲顯示器和光伏組件

        l 曲面上的傳感器,如應用或集成到機器、建筑、機器人和住房;

        l 物聯網

        關鍵問題是:是否在嵌入在薄膜后,超薄芯片的機械強度增強?

        他們報道了在嵌入之后,超薄芯片的斷裂力出現顯著的增加,如下面weibull圖所示。

        

      EMFT 1

       

        其工藝流程如下圖所示:

        

      EMFT 2

       

        在他們的微控制演示器中,25um厚的芯片嵌入到柔性基底的腔內。該芯片被10um的薄介電質膜覆蓋并且圖案化和互連。最終的封裝表現出在彎曲后無開裂和分層。

        他們初步的結論是剛性封裝的將被用于50-150um厚的芯片。柔性封裝被用于超薄的,10-30um芯片。

        Osram-LED封裝中芯片互連綜述

        標準LED封裝任然以引線構架為主。他們是:

        l 容易通過標準的SMT回流焊組裝

        l 表現出最低的制造成本

        l 整體焊盤具有出色的散熱

        l 單WB互連與久經考驗的可靠性

        

      osram 1

       

        大量的封裝配置都可獲得并且可使用

        

      osram 2

       

        芯片粘接方法包括導電環氧樹脂,不導電的有機硅,燒結材料和晶金屬焊料。這些都提供了不同的熱性能和成本和對不同封裝具有更好的兼容。

        

      osram 3

       

        除其他事項外,他們得出結論:

        當比較基銀丙烯酸酯填充芯片附著和其環氧材料,Osram認為,丙烯酸酯顯示焊后熱處理不太穩定互連特性。

        腐蝕性氣體例如水分, NO2和SO2擴散穿過透明的硅密封劑。對銅的攻擊更加嚴重?;旌瞎柩跬閿U散壁阻擋層應當被用于銅鍍金表面。

       

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