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      中芯國際與Invensas簽署DBI技術轉讓與授權協議

      中芯國際與Invensas簽署DBI技術轉讓與授權協議

      來源:
      2017/03/16
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      中國上海和美國加利福尼亞圣何塞2017315日電/美通社作為領先的半導體代工企業,中芯國際為全球的電子器件制造商提供先進的半導體制造工藝。我們很高興能夠將DBI技術加入到我們的技術組合中。中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示,這項技術是3D堆疊圖像傳感器制造的關鍵步驟,通過與Invensas的緊密合作,我們將會為客戶加快新一代圖像產品的開發和商業化。

      DBI技術是一項低溫混合晶圓鍵合解決方案,能夠在無壓力下鍵合,現異質晶圓特殊細間距3D電子互聯。 DBI 3D互聯可以消除對TSV縮小尺寸和降低成本的需求,同時為下一代圖像傳感器提供像素級互聯技術路線。

      很高興能夠與中芯國際,全球最大最有聲望的半導體代工企業之一簽署此項授權協議,” Invensas 總裁Craig Mitchell表示,中芯國際認可DBI技術對全球客戶的巨大意義,我們也期望與中芯國際更加緊密的合作,將此平臺融入到他們世界級的設計及制造環境中。

      所以大陸選擇3D NAND重新出發,3D的制程技術還有機會應用到其它產品,譬如3D MRAM。至于研發的規模經濟,由其所投資相應的生產規模來看,如果有盈余的話,是有機會支撐持續的自主研發的。

      所以大陸選擇3D NAND重新出發,3D的制程技術還有機會應用到其它產品,譬如3D MRAM。至于研發的規模經濟,由其所投資相應的生產規模來看,如果有盈余的話,是有機會支撐持續的自主研發的。

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